Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Τρανταλίδης, Στυλιανός
Μορφή: Πτυχιακή εργασία
Γλώσσα:Greek
Έκδοση: Α.Ε.Ι. Πειραιά Τ.Τ. 2017
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/handle/123456789/3877
_version_ 1780524534236971008
abstract Στην παρούσα πτυχιακή εργασία αναπτύσσουμε λεπτά υμένια οξειδίου του βαναδίου με τη μέθοδο της χημικής εναπόθεσης από ατμούς (ΧΕΑ) σε υποστρώματα χαλκού (Cu), σε υποστρώματα οξειδωμένου πυριτίου (Si) καλυπτόμενα από λεπτά υμένια ΧΕΑ βολφραμίου (W) και σε υποστρώματα γυαλιού καλυπτόμενα με υμένια οξειδίου του ινδίου-κασσιτέρου (ITO) σε ατμοσφαιρική πίεση. Οι εναποθέσεις υμενίων οξειδίου του βαναδίου έγιναν στο αντίστοιχο σύστημα εναπόθεσης του εργαστηρίου CVD του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Εθνικού Κέντρου Έρευνας Φυσικών Επιστημών ‘’Δημόκριτος’’. Έγιναν εναποθέσεις σε διαφορετικές θερμοκρασίες υποστρώματος από 200 οC έως 400 οC και μελετήσαμε την επιφανειακή μορφολογία με ηλεκτρονική μικροσκοπία σάρωσης (SEM). Στα αναπτυχθέντα υμένια έγινε χαρακτηρισμός μέσω μετρήσεων περίθλασης με ακτίνες Χ και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός με σκοπό το καθορισμό των ιδανικών συνθηκών εναπόθεσης και λειτουργίας ώστε να ευνοείται ο σχηματισμός οξειδίου του βαναδίου (VOx) και η εμφάνιση αντιστρεπτών μεταπτώσεων από μέταλλο σε μονωτή για την ανάδειξη των αισθητηριακών ικανοτήτων τους.
abstracttranslated In this undergraduate work vanadium oxide thin films were chemically vapor deposited (CVD) on cupper (Cu), on oxidized silicon (Si) substrates covered with CVD tungsten (W) thin films and on glass substrates covered with indium tin oxide (ITO) films at atmospheric pressure. The vanadium oxide depositions were carried out in the respective deposition system of CVD laboratory in the Institute of Microelectronics of N.C.S.R ‘Demokritos’. Depositions were carried out at different temperatures varying between 200 οC and 400 οC, and we studied the surface morphology with scanning electron microscopy (SEM). The formed films were characterized with X-ray diffraction and I-V measurements in order to define the appropriate conditions and functions which support the formation of vanadium oxides (VOx) and consequently metal-insulator reversible transition to exhibit their sensing abilities.
advisor
author Τρανταλίδης, Στυλιανός
author_facet Τρανταλίδης, Στυλιανός
author_sort Τρανταλίδης, Στυλιανός
collection Okeanis Institutional Repository
facultydepartment Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε.
format Πτυχιακή εργασία
id okeanis-123456789-3877
institution University of West Attica Campus II
keyword Μέταλλα
Οξείδιο του βαναδίου
language Greek
physical 77
publishDate 2017
publisher Α.Ε.Ι. Πειραιά Τ.Τ.
record_format dspace
spelling okeanis-123456789-38772018-12-14T11:42:09Z Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση Metal oxides for chemical sensing Τρανταλίδης, Στυλιανός Κωστής, Ιωάννης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. TPSH::Τεχνολογία Μέταλλα Οξείδιο του βαναδίου Στην παρούσα πτυχιακή εργασία αναπτύσσουμε λεπτά υμένια οξειδίου του βαναδίου με τη μέθοδο της χημικής εναπόθεσης από ατμούς (ΧΕΑ) σε υποστρώματα χαλκού (Cu), σε υποστρώματα οξειδωμένου πυριτίου (Si) καλυπτόμενα από λεπτά υμένια ΧΕΑ βολφραμίου (W) και σε υποστρώματα γυαλιού καλυπτόμενα με υμένια οξειδίου του ινδίου-κασσιτέρου (ITO) σε ατμοσφαιρική πίεση. Οι εναποθέσεις υμενίων οξειδίου του βαναδίου έγιναν στο αντίστοιχο σύστημα εναπόθεσης του εργαστηρίου CVD του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Εθνικού Κέντρου Έρευνας Φυσικών Επιστημών ‘’Δημόκριτος’’. Έγιναν εναποθέσεις σε διαφορετικές θερμοκρασίες υποστρώματος από 200 οC έως 400 οC και μελετήσαμε την επιφανειακή μορφολογία με ηλεκτρονική μικροσκοπία σάρωσης (SEM). Στα αναπτυχθέντα υμένια έγινε χαρακτηρισμός μέσω μετρήσεων περίθλασης με ακτίνες Χ και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός με σκοπό το καθορισμό των ιδανικών συνθηκών εναπόθεσης και λειτουργίας ώστε να ευνοείται ο σχηματισμός οξειδίου του βαναδίου (VOx) και η εμφάνιση αντιστρεπτών μεταπτώσεων από μέταλλο σε μονωτή για την ανάδειξη των αισθητηριακών ικανοτήτων τους. In this undergraduate work vanadium oxide thin films were chemically vapor deposited (CVD) on cupper (Cu), on oxidized silicon (Si) substrates covered with CVD tungsten (W) thin films and on glass substrates covered with indium tin oxide (ITO) films at atmospheric pressure. The vanadium oxide depositions were carried out in the respective deposition system of CVD laboratory in the Institute of Microelectronics of N.C.S.R ‘Demokritos’. Depositions were carried out at different temperatures varying between 200 οC and 400 οC, and we studied the surface morphology with scanning electron microscopy (SEM). The formed films were characterized with X-ray diffraction and I-V measurements in order to define the appropriate conditions and functions which support the formation of vanadium oxides (VOx) and consequently metal-insulator reversible transition to exhibit their sensing abilities. 2017-09-20 Πτυχιακή εργασία http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/handle/123456789/3877 el Α.Ε.Ι. Πειραιά Τ.Τ. 77 http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/bitstream/123456789/3877/6/%ce%9c%ce%b5%cf%84%ce%b1%ce%bb%ce%bb%ce%b9%ce%ba%ce%ac%20%ce%bf%ce%be%ce%b5%ce%af%ce%b4%ce%b9%ce%b1%20%ce%b3%ce%b9%ce%b1%20%cf%87%ce%b7%ce%bc%ce%b9%ce%ba%ce%ae%20%ce%b1%ce%bd%ce%af%cf%87%ce%bd%ce%b5%cf%85%cf%83%ce%b7_2_2.pdf.jpg
spellingShingle TPSH::Τεχνολογία
Τρανταλίδης, Στυλιανός
Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση
title Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση
title_full Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση
title_fullStr Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση
title_full_unstemmed Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση
title_short Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση
title_sort μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση
title_translated Metal oxides for chemical sensing
topic TPSH::Τεχνολογία
url http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/handle/123456789/3877