Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός DC νανοηλεκτρονικών διατάξεων FinFET σε υποστρώματα SOI
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Μορφή: | Πτυχιακή εργασία |
| Γλώσσα: | Greek |
| Έκδοση: |
Α.Ε.Ι. Πειραιά Τ.Τ.
2017
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/handle/123456789/3811 |
| _version_ | 1780524217029099520 |
|---|---|
| abstract | Στην παρούσα διπλωματική εργασία θα μελετηθούν οι πλέον σύγχρονες διατάξεις τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) που ονομάζονται "τρανζίστορ πτερυγίου" (FinFET) . Οι διατάξεις αυτές κατασκευάστηκαν στο Εργαστήριο Νανοτεχνολογίας και Μικροσυστημάτων του Ινστιτούτου Νανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογίας στο Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. "Δημόκριτος", στα πλαίσια του προγράμματος ΑΡΙΣΤΕΙΑ ΙΙ "Nanowire Memory" με επιστημονικό υπεύθυνο τον Δρ. Πασκάλ Νορμάντ. Για την κατασκευή τους χρησιμοποιήθηκαν σύγχρονες τεχνικές κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων νανοηλεκτρονικής, όπως λιθογραφία ηλεκτρονικής δέσμης. Σκοπός της διπλωματικής εργασίας είναι να μελετηθούν οι ηλεκτρικές ιδιότητες των νανοηλεκτρονικών αυτών διατάξεων πριν και ύστερα από καταπόνηση, ώστε να κατανοηθούν τα φυσικά φαινόμενα τα οποία καθορίζουν την λειτουργία και τη γήρανσή τους. Ιδιαίτερη έμφαση θα δοθεί στην ανάπτυξη δύο τεχνικών ηλεκτρικού χαρακτηρισμού. Η πρώτη αφορά την μέτρηση των διεπιφανειακών καταστάσεων στην πύλη των διατάξεων FinFET (Transconductance Dispersion Method) και η δεύτερη σχετίζεται με την μέτρηση της ευκινησίας των φορέων στο κανάλι του τρανζίςτορ (Split C-V method) . Για τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό των διατάξεων θα χρησιμοποιηθεί Semiconductor Parameter Analyzer HP 4155 ενσωματωμένο Η/Τ και ειδική γλώσσα προγραμματισμού στην οποία και θα γραφτεί το λογισμικό στο οποίο θα υλοποιηθούν οι νέες τεχνικές χαρακτηρισμού. |
| advisor | |
| author | Μάνθου, Δέσποινα |
| author_facet | Μάνθου, Δέσποινα |
| author_sort | Μάνθου, Δέσποινα |
| collection | Okeanis Institutional Repository |
| facultydepartment | Τμήμα Μηχανικών Αυτοματισμού Τ.Ε. |
| format | Πτυχιακή εργασία |
| id | okeanis-123456789-3811 |
| institution | University of West Attica Campus II |
| keyword | Νανοηλεκτρονική Νανοτεχνολογία FinFET Τρανζίστορ Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός Τρανζίστορ FinFET MOSFET Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου FET Νανοηλεκτρονικές διατάξεις |
| language | Greek |
| physical | 70 |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Α.Ε.Ι. Πειραιά Τ.Τ. |
| record_format | dspace |
| spelling | okeanis-123456789-38112018-12-14T11:43:30Z Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός DC νανοηλεκτρονικών διατάξεων FinFET σε υποστρώματα SOI DC Electrical characterization of nanoelectronic FinFET devices on SOI substrates Μάνθου, Δέσποινα Νικολάου, Γρηγόριος Δημητράκης, Παναγιώτης Τμήμα Μηχανικών Αυτοματισμού Τ.Ε. TPSH::Τεχνολογία::Ηλεκτρονική::Ηλεκτρονικές Μετρήσεις Νανοηλεκτρονική Νανοτεχνολογία FinFET Τρανζίστορ Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός Τρανζίστορ FinFET MOSFET Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου FET Νανοηλεκτρονικές διατάξεις Στην παρούσα διπλωματική εργασία θα μελετηθούν οι πλέον σύγχρονες διατάξεις τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) που ονομάζονται "τρανζίστορ πτερυγίου" (FinFET) . Οι διατάξεις αυτές κατασκευάστηκαν στο Εργαστήριο Νανοτεχνολογίας και Μικροσυστημάτων του Ινστιτούτου Νανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογίας στο Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. "Δημόκριτος", στα πλαίσια του προγράμματος ΑΡΙΣΤΕΙΑ ΙΙ "Nanowire Memory" με επιστημονικό υπεύθυνο τον Δρ. Πασκάλ Νορμάντ. Για την κατασκευή τους χρησιμοποιήθηκαν σύγχρονες τεχνικές κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων νανοηλεκτρονικής, όπως λιθογραφία ηλεκτρονικής δέσμης. Σκοπός της διπλωματικής εργασίας είναι να μελετηθούν οι ηλεκτρικές ιδιότητες των νανοηλεκτρονικών αυτών διατάξεων πριν και ύστερα από καταπόνηση, ώστε να κατανοηθούν τα φυσικά φαινόμενα τα οποία καθορίζουν την λειτουργία και τη γήρανσή τους. Ιδιαίτερη έμφαση θα δοθεί στην ανάπτυξη δύο τεχνικών ηλεκτρικού χαρακτηρισμού. Η πρώτη αφορά την μέτρηση των διεπιφανειακών καταστάσεων στην πύλη των διατάξεων FinFET (Transconductance Dispersion Method) και η δεύτερη σχετίζεται με την μέτρηση της ευκινησίας των φορέων στο κανάλι του τρανζίςτορ (Split C-V method) . Για τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό των διατάξεων θα χρησιμοποιηθεί Semiconductor Parameter Analyzer HP 4155 ενσωματωμένο Η/Τ και ειδική γλώσσα προγραμματισμού στην οποία και θα γραφτεί το λογισμικό στο οποίο θα υλοποιηθούν οι νέες τεχνικές χαρακτηρισμού. 2017-09 Πτυχιακή εργασία http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/handle/123456789/3811 el http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/gr/ Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα Α.Ε.Ι. Πειραιά Τ.Τ. 70 http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/bitstream/123456789/3811/7/auto_41894.pdf.jpg |
| spellingShingle | TPSH::Τεχνολογία::Ηλεκτρονική::Ηλεκτρονικές Μετρήσεις Μάνθου, Δέσποινα Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός DC νανοηλεκτρονικών διατάξεων FinFET σε υποστρώματα SOI |
| title | Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός DC νανοηλεκτρονικών διατάξεων FinFET σε υποστρώματα SOI |
| title_full | Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός DC νανοηλεκτρονικών διατάξεων FinFET σε υποστρώματα SOI |
| title_fullStr | Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός DC νανοηλεκτρονικών διατάξεων FinFET σε υποστρώματα SOI |
| title_full_unstemmed | Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός DC νανοηλεκτρονικών διατάξεων FinFET σε υποστρώματα SOI |
| title_short | Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός DC νανοηλεκτρονικών διατάξεων FinFET σε υποστρώματα SOI |
| title_sort | ηλεκτρικός χαρακτηρισμός dc νανοηλεκτρονικών διατάξεων finfet σε υποστρώματα soi |
| title_translated | DC Electrical characterization of nanoelectronic FinFET devices on SOI substrates |
| topic | TPSH::Τεχνολογία::Ηλεκτρονική::Ηλεκτρονικές Μετρήσεις |
| url | http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/handle/123456789/3811 |