Potential of InGaAs/GaAs quantum dots for applications in vertical cavity semiconductor optical amplifiers
Κύριοι συγγραφείς: | Βασιλειάδης, Μ., Αλεξανδρόπουλος, Δημήτρης, Adams, M. J., Σίμος, Ηρακλής, Συβρίδης, Δημήτρης |
---|---|
Μορφή: | Άρθρο |
Γλώσσα: | English |
Έκδοση: |
2008
|
Διαθέσιμο Online: | http://cris.lib2.uniwa.gr/jspui/handle/123456789/431 |
Παρόμοια τεκμήρια
Παρόμοια τεκμήρια
-
Tapered InAs/InGaAs quantum dot semiconductor optical amplifier design for enhanced gain and beam quality
ανά: Μεσσαριτάκης, Χάρης, κ.ά.
Έκδοση: (2013) -
Dual ground-state pulse generation from a passively mode-locked InAs/InGaAs quantum dot laser
ανά: Μεσσαριτάκης, Χάρης, κ.ά.
Έκδοση: (2011) -
Effect of the number of quantum dot layers and dual state emission on the performance of InAs/InGaAs passively mode-locked lasers
ανά: Μεσσαριτάκης, Χάρης, κ.ά.
Έκδοση: (2012) -
External optical feedback-induced wavelength selection and Q-switching elimination in an InAs/InGaAs passively mode locked quantum dot laser
ανά: Μεσσαριτάκης, Χάρης, κ.ά.
Έκδοση: (2012) -
High peak power picosecond optical pulse generation using a quantum-dot external-cavity passively mode-locked laser and a quantum-dot optical amplifier
ανά: Ding, Y., κ.ά.
Έκδοση: (2012)